Samsung, sektörün ilk 12 yığınlı HBM3E DRAM‘ini geliştirdiğini ve bu sayede bugüne kadarki en yüksek kapasiteye sahip yüksek bant genişlikli belleği (HBM) ürettiğini duyurdu. Yarı iletken bellek yongalarında dünya lideri Samsung, HBM3E 12H ile birlikte bant genişliği ve kapasiteyi HBM3’e kıyasla yüzde 50 oranında yükselttiğini belirtti. Samsung, 36 GB HBM3E 12H belleğini tanıttı
Bilemeyenler için HBM bellekler, her biri bir yığın veya katman olarak adlandırılan dikey olarak istiflenmiş birden fazla DRAM modülünden oluşuyor. Samsung’un yeni HBM3E 12H modülünde her bir DRAM modülü 24 gigabit (Gb) kapasiteye sahip, yani 3 gigabyte’a (GB) eşdeğer ve bunlardan on iki tane var. Böylelikle toplam kapasite de 36 GB oluyor.
Samsung’a göre, paket gereksinimlerini karşılamak üzere 12 yığınlı HBM3E’nin 8 yığınlı olanlarla aynı yüksekliğe sahip olmasını sağlamak için TC NCF (thermal compression non-conductive film) tekniği uygulandı. Bu sayede istifler arasındaki boşluğun sadece mikrometreye düşürüldüğü belirtiliyor. Samsung’a göre 12 istifli HBM3E’nin 8 istifli HBM3’e kıyasla dikey olarak yüzde 20’den fazla yoğun olması sağlanmış.
İşin performans tarafında ise HBM3E 12H için Samsung, yapay zeka eğitiminin ortalama hızının yüzde 34 oranında arttığını ve çıkarım hizmetlerinin eşzamanlı kullanıcı sayısının HBM3 8H’ye kıyasla 11,5 kat arttığını belirtiyor. Samsung halihazırda müşterilerine HBM3E 12H örnekleri sağlamaya başlamış durumda ve bu yılın ikinci yarısında seri üretime geçilmesi hedefleniyor. HBM3E 12H bellekler sayesinde Samsung, SK Hynix ve Micron’a karşı elini güçlendirmiş oldu. Bu bellekler özellikle yapay zeka GPU’larında kullanılacak.
